PERFORMANCE OF SULFUR-ION-IMPLANTED GAAS FETS

被引：14

作者：

HIGGINS, JA ^{[1
]}

WELCH, BM ^{[1
]}

EISEN, FH ^{[1
]}

ROBINSON, GD ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760013

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：17 / 18

页数：2

共 4 条

[1] ION-IMPLANTED MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN GAAS [J].

HUNSPERGER, RG ;

HIRSCH, N .

[2] GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS [J].

HUNSPERGER, RG ;

HIRSCH, N .

[3]

LUXTON HEG, 1973, EUROPEAN SOLID STATE, P206

[4] GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY ION-IMPLANTATION [J].

WELCH, BM ;

EISEN, FH ;

HIGGINS, JA .