GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY SELECTIVE SULFUR-ION IMPLANTATION

被引：6

作者：

MIZUTANI, T ^{[1
]}

ISHIDA, S ^{[1
]}

FUJIMOTO, M ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEG & TEL PUBL CORP,ELECT COMMUN LABS,TOKYO,JAPAN

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1976年 / 12卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760328

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：431 / 432

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] PERFORMANCE OF SULFUR-ION-IMPLANTED GAAS FETS
HIGGINS, JA
WELCH, BM
EISEN, FH
ROBINSON, GD
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1976, 12 (01) : 17 - 18
[2] GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS
HUNSPERGER, RG
HIRSCH, N
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1973, 9 (25) : 577 - 578
[3] GAAS PLANAR GUNN DIGITAL DEVICES BY SULFUR-ION-IMPLANTATION
MIZUTANI, T
KURUMADA, K
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1975, 11 (25-2) : 638 - 639
[4] GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY ION-IMPLANTATION
WELCH, BM
EISEN, FH
HIGGINS, JA
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (08) : 3685 - 3687