THIN-FILM SILICON ON SILICON-NITRIDE FOR RADIATION HARDENED DIELECTRICALLY ISOLATED MISFETS

被引：8

作者：

NEAMEN, D ^{[1
]}

SHEDD, W ^{[1
]}

BUCHANAN, B ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,SYST COMMAND,CAMBRIDGE RES LABS,BEDFORD,MA 01730

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1975.4328106

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2203 / 2207

页数：5

共 9 条

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