ORIGIN OF INCREASE IN SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT WITH INTERFACIAL OXIDE THICKNESS

被引：32

作者：

PECKERAR, M ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 45卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1663106

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4652 / 4652

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