NEW FAST TECHNIQUE FOR LARGE-SCALE MEASUREMENTS OF GENERATION LIFETIME IN SEMICONDUCTORS

被引:19
作者
FAHRNER, WR [1 ]
SCHNEIDER, CP [1 ]
机构
[1] IBM CORP, SYST PROD DIV, E FISHKILL FACIL, Hopewell Jct, NY 12533 USA
关键词
D O I
10.1149/1.2132738
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页数:6
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