TEMPERATURE TRANSIENTS IN HEAVILY DOPED AND UNDOPED SILICON USING RAPID THERMAL ANNEALING

被引:22
作者
SEIDEL, TE
LISCHNER, DJ
PAI, CS
LAU, SS
机构
[1] AT&T BELL LABS,ALLENTOWN,PA 18103
[2] UNIV CALIF SAN DIEGO,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,LA JOLLA,CA 92093
关键词
D O I
10.1063/1.334532
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1317 / 1321
页数:5
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