REDISTRIBUTION OF IMPLANTED PHOSPHORUS AFTER PLATINUM SILICIDE FORMATION AND THE CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：30

作者：

KIKUCHI, A

SUGAKI, S

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1982年 / 53卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1063/1.331155

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3690 / 3693

页数：4

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