DIFFERENCE BETWEEN (001) FACET AND VICINAL PLANES IN VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS

被引：29

作者：

HOLLAN, L ^{[1
]}

SCHILLER, C ^{[1
]}

机构：

[1] LAB ELECT & PHYS APPL,3 AVE DESCARTES,94450 LIMEIL-BREVANNES,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(74)90091-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：175 / 180

页数：6

共 14 条

BOUCHER, A ;

HOLLAN, L .

[2]

BOUCHER A, 1970, ONDE ELECTR, V50, P165

[3]

COPELAND JA, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P445

DILORENZO, JV .

[5]

FOREST J, 1964, J ELECTROCHEM SOC, V111, P886

[6]

HOLLAN K, 1972, J CRYST GR, V13, P319

[7]

HOLLAN L, 1972, ACTA ELECTRON, V15, P11

[8]

HOLLAN L, 1973, P INT S GAAS

[9]

HUGHES D, 1972, ACTA ELEC, V15, P43

[10] FACET EFFECT IN EPITAXIAL GAAS [J].

JOYCE, BD ;

MULLIN, JB .