THE EFFECTS OF ARSENIC DOPING IN REACTIVE ION ETCHING OF SILICON IN CHLORINATED PLASMAS

被引:21
作者
SCHWARTZ, GC
SCHAIBLE, PM
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2120120
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页码:1898 / 1905
页数:8
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