VERTICAL N-P-N BIPOLAR-TRANSISTORS FABRICATED ON BURIED OXIDE SOI

被引：9

作者：

GREENEICH, EW ^{[1
]}

REUSS, RH ^{[1
]}

机构：

[1] MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LABS,PHOENIX,AZ 85008

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25842

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：91 / 93

页数：3

共 6 条

GREENEICH, EW ;

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