FREQUENCY-DEPENDENCE OF CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS CAUSED BY DX CENTERS IN SI-DOPED ALGAAS

被引：9

作者：

OHORI, T

TAKIKAWA, M

KOMENO, J

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339986

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1223 / 1224

页数：2

共 5 条

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