ION-BEAM DAMAGE EFFECTS DURING THE LOW-ENERGY CLEANING OF GAAS

被引：29

作者：

GHANDHI, SK

KWAN, P

BHAT, KN

BORREGO, JM

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25473

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：48 / 50

页数：3

共 6 条

[1]

AMITH A, 1978, J VAC SCI TECHNOL, V15

[2]

ROBERTSON DD, 1978, SOLID STATE TECHNOL, V21, P57

[3] INTRODUCTION TO ION AND PLASMA ETCHING [J].

SOMEKH, S .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1976, 13 (05) :1003-1007

[4] ION-BEAM TECHNIQUES FOR DEVICE FABRICATION [J].

SPENCER, EG ;

SCHMIDT, PH .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1971, 8 (05) :S52-&

STIRLAND, DJ ;

STRAUGHAN, BW .

VANOOSTROM, A .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1976, 13 (01) :224-227