AMBIPOLAR DRIFT-LENGTH MEASUREMENT IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON USING THE STEADY-STATE PHOTOCARRIER GRATING TECHNIQUE

被引：20

作者：

RITTER, D ^{[1
]}

WEISER, K ^{[1
]}

机构：

[1] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,DEPT ELECT ENGN,IL-32000 HAIFA,ISRAEL

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 34卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.34.9031

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：9031 / 9033

页数：3

共 6 条

[1]

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RITTER, D ;

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