AN IMPACT IONIZATION MODEL FOR 2D DEVICE SIMULATION

被引：3

作者：

CHAN, N ^{[1
]}

THURGATE, T ^{[1
]}

机构：

[1] INTEL CORP,SANTA CLARA,CA 95051

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21869

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1978 / 1978

页数：1

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