ELECTRONIC-PROPERTIES OF HEAVILY-DOPED N-TYPE SILICON

被引：4

作者：

SELLONI, A ^{[1
]}

PANTELIDES, ST ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 117卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90446-1

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：78 / 80

页数：3

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共 14 条

[11]

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