ALUMINUM OXIDE SILICON DIOXIDE, DOUBLE-INSULATOR, MOS STRUCTURE

被引:6
作者
CLEMENS, JT [1 ]
LABUDA, EF [1 ]
BERGLUND, CN [1 ]
机构
[1] BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA
来源
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1975年 / 54卷 / 04期
关键词
D O I
10.1002/j.1538-7305.1975.tb02861.x
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:687 / 719
页数:33
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