AN IMPROVED AU/BE CONTACT TO PARA-TYPE INP

被引：9

作者：

HASENBERG, TC ^{[1
]}

GARMIRE, E ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SO CALIF,CTR LASER STUDIES,LOS ANGELES,CA 90089

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1987年 / 61卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.338188

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：808 / 809

页数：2

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[3] Maissel L.I., 1970, HDB THIN FILM TECHNO, P1
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MILLS, HT
HARTNAGEL, HL
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1975, 11 (25-2) : 621 - 622
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[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1980, 36 (06) : 444 - 446
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WILSON, RW
[J]. PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1969, 57 (09) : 1580 - &