CHARACTERIZATION OF IMPLANTED NITRIDE FOR VLSI APPLICATIONS

被引：17

作者：

KIM, MJ

GHEZZO, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115995

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1934 / 1941

页数：8

共 21 条

[1]

APPELS JA, 1970, PHILIPS RES REP, V25, P118

[2] TOPOLOGY OF SILICON STRUCTURES WITH RECESSED SIO2 [J].

BASSOUS, E ;

YU, HN ;

MANISCALCO, V .

[3]

CHIN D, 1982, EXT ABSTR IEDM, P228

[4]

CHIU KY, 1982, IEEE T ELECTRON DEV, V29, P536, DOI 10.1109/T-ED.1982.20739

[5]

CHIU KY, 1982, EXT ABSTR IEDM, P224

[6]

CHOW TP, 1982, Patent No. 4333965

DEXTER, RJ ;

PICRAUX, ST ;

WATELSKI, SB .

[8] STRESS IN ION-IMPLANTED CVD SI3N4 FILMS [J].

EERNISSE, EP .

[9]

FUNG CD, 1983, EL SOC EXT ABSTR, V83, P210

[10]

GHEZZO M, 1982, Patent No. 4333964