THE MECHANISMS OF SMALL INSTABILITIES IN IRRADIATED MOS-TRANSISTORS

被引：26

作者：

HOLMESSIEDLE, A ^{[1
]}

ADAMS, L ^{[1
]}

机构：

[1] EUROPEAN SPACE AGCY,EUROPEAN SPACE RES & TECNOL CTR,2200 AG NOORDWIJK,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333096

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4135 / 4140

页数：6

共 26 条

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