OPTICAL STUDIES OF BACK-CHANNEL LEAKAGE IN N-CHANNEL MOSFET ON SILICON-ON-SAPPHIRE (SOS)

被引：4

作者：

HARARI, E ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO NEWPORT BEACH RES CTR,NEWPORT BEACH,CA 92663

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88882

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：25 / 27

页数：3

共 7 条

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