STRUCTURAL EVOLUTION OF VERY THIN SILICON-OXIDE FILMS DURING THERMAL GROWTH IN DRY OXYGEN

被引:30
作者
AGIUS, B
RIGO, S
ROCHET, F
FROMENT, M
MAILLOT, C
ROULET, H
DUFOUR, G
机构
[1] UNIV PARIS 06, F-75230 PARIS 05, FRANCE
[2] LAB CHIM PHYS 176, F-75231 PARIS 05, FRANCE
关键词
D O I
10.1063/1.94547
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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