EVALUATION OF CONCENTRATION-DEPTH PROFILES BY SPUTTERING IN SIMS AND AES

被引：146

作者：

HOFMANN, S ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK INST METALL FORSCH,INST WERKSTOFF WISSENSCH,SEE STR 92,D-7000 STUTTGART,FED REP GER

来源：

APPLIED PHYSICS | 1976年 / 9卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00901910

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：59 / 66

页数：8

共 32 条

[1]

ANDERSEN CA, 1969, INT J MASS SPECTROM, V2, P61

[2]

BENNINGHOVEN, 1973, APPL PHYS, V1, P3

BENNINGHOVEN, A .

ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1967, A 22 (05) :841-+

BENNINGHOVEN, A .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1970, 230 (05) :403-+

[5]

BESKE HE, 1973, QUANTITATIVE ANALYSI, V8, P249

BLANCHARD, B ;

HILLERET, N ;

QUOIRIN, JB .

JOURNAL OF RADIOANALYTICAL CHEMISTRY, 1972, 12 (01) :85-94

[7] APPLICATION OF ELECTRON-SPECTROSCOPY TO SURFACE STUDIES [J].

BRUNDLE, CR .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1974, 11 (01) :212-224

[8]

Carter G., 1968, ION BOMBARDMENT SOLI

[9]

DAHLGREN SD, 1972, J APPL PHYS, V43, P1514, DOI 10.1063/1.1661352

EVANS, CA .