CW OPERATION OF 1.5-MU-M GAINASP-INP BURIED-HETEROSTRUCTURE LASER WITH A REACTIVE-ION-ETCHED FACET

被引：19

作者：

MIKAMI, O

AKIYA, H

SAITOH, T

NAKAGOME, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830147

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：213 / 215

页数：3

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