A NEW IG TETRODE WITH HIGH DRAIN BREAKDOWN POTENTIAL

被引：5

作者：

DILL, HG

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1966年 / 54卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1966.5170

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1494 / &

共 6 条

GROVE, AS ;

DEAL, BE ;

SNOW, EH ;

SAH, CT .

[2]

GROVE AS, 1965, ELECTROTECHNOLOGY, V76, P40

[3]

HEIMAN FP, 1964, ELECTRONICS, V37, P60

[4] SILICON INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

HOFSTEIN, SR ;

HEIMAN, FP .

[5]

HOFSTEIN SR, 1965, IEEE T ELECTRON DEVI, VED12, P129

[6] A THIN-FILM SPACE-CHARGE-LIMITED TRIODE [J].

ZULEEG, R ;

KNOLL, P .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1966, 54 (09) :1197-&