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GALLIUM-VACANCY-DEPENDENT DIFFUSION-MODEL OF OHMIC CONTACTS TO GAAS

被引：25
作者：
GUPTA, RP
KHOKLE, WS
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1985年 / 28卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(85)90070-X
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：823 / 830
页数：8
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YOO YK, 1979, APPL PHYS LETT, V35, P197
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234567891011