ANOMALOUS IMPURITY DIFFUSION IN EPITAXIAL SILICON NEAR THE SUBSTRATE

被引：25

作者：

KAHNG, D

THOMAS, CO

MANZ, RC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425248

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1106 / 1108

页数：3

共 6 条

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