LOCALIZED EPITAXIAL-GROWTH OF HEXAGONAL AND TETRAGONAL MOSI2 ON (111) SI

被引：28

作者：

LIN, WT ^{[1
]}

CHEN, LJ ^{[1
]}

机构：

[1] NATL TSING HUA UNIV,CTR MAT SCI,HSINCHU,TAIWAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95760

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1061 / 1063

页数：3

共 25 条

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