TEMPERATURE-DEPENDENCE OF DEGREE OF DOPING IN GROWTH OF SILICON EPITAXIAL LAYERS FROM GAS-PHASE .1. PHOSPHORUS CONTENT AND NATURE OF SEGREGATION COEFFICIENT

被引：6

作者：

KUHNE, H

机构：

来源：

KRISTALL UND TECHNIK-CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY | 1978年 / 13卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1002/crat.19780130809

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：939 / 946

页数：8

共 6 条

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