LIFETIME DEGRADATION IN SILICON BY EMITTER DIFFUSION

被引：1

作者：

GHOSHTAGORE, RN ^{[1
]}

机构：

[1] WESTINGHOUSE ELECT CORP,SERV,PITTSBURGH,PA 15235

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2133673

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1449 / 1451

页数：3

共 3 条

KAO, YC ;

DAVIS, JR .

[2] KINETICS OF PHOSPHORUS PREDEPOSITION IN SILICON USING POCL3 [J].

NEGRINI, P ;

NOBILI, D ;

SOLMI, S .

SAH, CT ;

WANG, CT .