INFLUENCE OF SURFACE-POTENTIAL FLUCTUATIONS ON OPERATION OF MOS-TRANSISTOR IN WEAK INVERSION

被引：22

作者：

VANOVERSTRAETEN, RJ ^{[1
]}

DECLERCK, G ^{[1
]}

BROUX, GL ^{[1
]}

机构：

[1] KATHOLIEKE UNIV LEUVEN, DEPT ELEKTROTECH, LAB FYS & ELEKTR HALFGELEIDERS, LEUVEN, BELGIUM

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1973.17810

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1154 / 1158

页数：5

共 7 条

[1]

BACCARANI G, 1971, ALTA FREQ AUG, pE310

[2] LOW-LEVEL CURRENTS IN INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

BARRON, MB .

BREWS, JR .

[4]

DECLERCK G, TO BE PUBLISHED

MARGALIT, S ;

BARLEV, A ;

NEURGROS.A .

NICOLLIA.EH ;

GOETZBER.A .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1967, 46 (06) :1055-+

VANOVERSTRAETEN, RJ ;

DECLERCK, G ;

BROUX, GL .