PROPERTIES OF EPITAXIC SILICON LAYERS ON SPINEL MONOCRYSTALS

被引：14

作者：

HEYWANG, W

机构：

来源：

MATERIALS RESEARCH BULLETIN | 1968年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0025-5408(68)90003-2

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：315 / &

共 10 条

[1] AUTODOPING OF SILICON FILMS GROWN EPITAXIALLY ON SAPPHIRE [J].

DUMIN, DJ ;

ROBINSON, PH .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1966, 113 (05) :469-+

[2]

JOYCE BA, 1965, T METALL SOC AIME, V233, P556

[3] CHEMISORPTION AND ORDERED SURFACE STRUCTURES [J].

LANDER, JJ .

SURFACE SCIENCE, 1964, 1 (02) :125-164

[4] SINGLE-CRYSTAL SILICON ON SAPPHIRE SUBSTRATE [J].

MANASEVIT, HM ;

SIMPSON, WI .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1964, 35 (04) :1349-&

[5] GROWN-FILM SILICON TRANSISTORS ON SAPPHIRE [J].

MUELLER, CW ;

ROBINSON, PH .

PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1964, 52 (12) :1487-&

[6] SILICON/CORUNDUM EPITAXY [J].

PORTER, JL ;

WOLFSON, RG .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (09) :2746-&

[7] KRISTALLBAUFEHLER BEIM EPITAXIALEN WACHSTUM VON SILIZIUM AUF MAGNESIUM - ALUMINIUM-SPINELL [J].

SCHLOTTERER, H ;

ZAMINER, C .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1966, 15 (01) :399-+

[8]

SCHLOTTERER H, IN PRESS

[9]

SEITER H, 1965, Z ANGEW PHYSIK, V20, P158

[10]

ZAMINER C, IN PRESS

← 1 →