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CRYSTALLOGRAPHIC IMPERFECTIONS IN SILICON
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GROWTH OF EPITAXIAL SILICON LAYERS BY VACUUM EVAPORATION .2. INITIAL NUCLEATION AND GROWTH
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STRUCTURAL IMPERFECTION IN VAPOUR-GROWN SILICON
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DUNNE SILIZIUMEINKRISTALLE UND IHRE ELEKTRONENINTERFERENZEN
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ZUR METHODIK DER ABTRAGUNG DUNNSTER OBERFLACHENSCHICHTEN VON FESTKORPERN DURCH NIEDERENERGETISCHE KATHODENZERSTAUBUNG
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ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE,
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DIE HERSTELLUNG DUNNER SILIZIUM-EINKRISTALLSCHICHTEN DURCH KATHODENZERSTAUBUNG
[J].
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK,
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