IMPURITY GETTERING BY MISFIT DISLOCATIONS IN SI (2-PERCENT-GE) EPITAXY - NICKEL

被引：18

作者：

LEE, DM

POSTHILL, JB

SHIMURA, F

ROZGONYI, GA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.99897

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：370 / 372

页数：3

共 18 条

[1]

[Anonymous], 1975, EQUILIBRIUM GEN KINE

[2]

Bakhadyrkhanov M. K., 1980, SOV PHYS SEMICOND, V14, P412

[3]

Cottrell AH., 1953, DISLOCATION PLASTIC

CULLIS, AG ;

KATZ, LE .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1974, 30 (06) :1419-1443

[5] METAL PRECIPITATES IN SILICON P-N JUNCTIONS [J].

GOETZBERGER, A ;

SHOCKLEY, W .

KATZ, LE ;

SCHMIDT, PF ;

PEARCE, CW .

[7]

KIM MJ, 1987, 45TH P ANN M EMSA SA, P240

[8]

KOLA RR, 1988, MATERIALS RES SOC S, V104, P641

[9]

Lothe J., 1982, THEORY DISLOCATIONS

[10]

MILSHTEIN SK, 1971, JETP LETT-USSR, V13, P233