MAXIMUM DRIFT VELOCITY OF MOS-FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：13

作者：

BAUM, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90065-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：789 / +

页数：1

共 12 条

BAUM, G .

[2]

BAUM G, 1968, ARCH ELEKTR UBERTRAG, V22, P1

[3]

BAUM G, 1969, THESIS TH AACHEN

CHIU, TL ;

SAH, CT .

[5]

DRANGEID KG, 1969, MAR EUR M SEM RES MU

[6]

FROHMANNBENTCHK.D, 1969, T IEEE, VED16, P108

[7] DESIGN THEORY OF A SURFACE FIELD-EFFECT TRANSISTOR [J].

IHANTOLA, HKJ ;

MOLL, JL .

[8]

REDDI VGK, 1965, T IEEE, VED12, P139

[9] MOBILITY OF HOLES AND ELECTRONS IN HIGH ELECTRIC FIELDS [J].

RYDER, EJ .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (05) :766-769

[10]

SAH CT, 1966, T IEEE, VED13, P393