HYDROGENATION AND ANNEALING KINETICS IN BORON-DOPED AND ALUMINUM-DOPED SILICON

被引：12

作者：

DADGAR, S

HSU, CCH

PAN, SCS

SAH, CT

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.337320

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1422 / 1429

页数：8

共 7 条

[1]

PAN SCS, UNPUB J APPL PHYS

SAH, CT ;

PAN, SCS ;

HSU, CCH .

SAH, CT ;

SUN, JYC ;

TZOU, JJ ;

PAN, SCS .

SAH, CT ;

SUN, JYC ;

TZOU, JJT .

[5] DEACTIVATION OF THE BORON ACCEPTOR IN SILICON BY HYDROGEN [J].

SAH, CT ;

SUN, JY ;

TZOU, JJ .

[6]

SAH CT, 1984, ISSEL56 TECHN REP

[7]

Sze S.M., 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P21