ELECTRICAL-ACTIVITY OF THE 1ST-ORDER AND 2ND-ORDER TWINS AND GRAIN-BOUNDARIES IN SILICON

被引：31

作者：

BARY, A

NOUET, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.340259

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：435 / 438

页数：4

共 24 条

[1]

AST DG, 1982, GRAIN BOUNDARIES SEM, P67

[2]

AUTHIER B, 1978, FESTKORPERPROBLEME, V18, P1

[3]

BARY A, 1984, THESIS U CAEN

[4]

BARY A, 1984, PHYSICAL CHEM SOLID, P319

[5]

BATTISTELLA R, 1985, THESIS U TOULOUSE

BLUMTRITT, H ;

GLEICHMANN, R ;

HEYDENREICH, J ;

JOHANSEN, H .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1979, 55 (02) :611-620

[7] STRUCTURE OF GRAIN-BOUNDARIES IN SEMICONDUCTORS [J].

BOURRET, A ;

DANTERROCHES, C .

JOURNAL DE PHYSIQUE, 1982, 43 (NC1) :1-8

[8]

DIANTEILL C, 1983, J MICROSC SPECT ELEC, V8, P233

DIANTEILL, C ;

ROCHER, A .

JOURNAL DE PHYSIQUE, 1982, 43 (NC1) :75-82

DONOLATO, C .