ELECTRICAL EVALUATION OF DEFECTS INDUCED IN SILICON BY HIGH-ENERGY BORON ION-IMPLANTATION

被引：16

作者：

SAYAMA, H

TAKAI, M

AKASAKA, Y

TSUKAMOTO, K

NAMBA, S

机构：

[1] OSAKA UNIV, EXTREME MAT RES CTR, TOYONAKA, OSAKA 560, JAPAN

[2] MITSUBISHI ELECTR CO, LSI RES & DEV LAB, ITAMI, HYOGO 664, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L1673

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1673 / L1675

页数：3

共 5 条

LIN, HY ;

TING, CH .

[2]

MATSUDA Y, 1987, 19TH C SOL STAT DEV, P123

[3] MEV-ENERGY B+, P+ AND AS+ ION-IMPLANTATION INTO SI [J].

TAMURA, M ;

NATSUAKI, N ;

WADA, Y ;

MITANI, E .

WONG, H ;

CHEUNG, NW ;

CHU, PK ;

LIU, J ;

MAYER, JW .

[5] HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION [J].

ZIEGLER, JF .