CONTINUOUS GROWTH OF HIGH-PURITY INP-INGAAS ON INP SUBSTRATE BY VAPOR-PHASE EPITAXY

被引:11
作者
SUSA, N
YAMAUCHI, Y
KANBE, H
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.20.L253
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:L253 / L256
页数:4
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