SATURATION VALUES OF ELECTRON DRIFT VELOCITY IN SILICON BETWEEN 300 DEGREES K AND 4.2 DEGREES K

被引：9

作者：

CANALI, C

OTTAVIANI, G

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS A | 1970年 / A 32卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(70)90244-6

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：147 / +

页数：1

相关论文

共 12 条

[11] SPACE CHARGE LIMITED CORRENTS IN P-N JUNCTIONS [J].

TARONI, A ;

ZANARINI, G .

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1969, 30 (07) :1861-+

[12] ELECTRIC FIELD PROFILE AND ELECTRON DRIFT VELOCITIES IN LITHIUM DRIFTED SILICON [J].

ZULLIGER, HR ;

NORRIS, CB ;

SIGMON, TW ;

PEHL, RH .

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1969, 70 (02) :125-+