THEORETICAL CONSIDERATIONS ON ION CHANNELING EFFECT THROUGH SILICIDE-SILICON INTERFACE

被引:34
作者
ISHIWARA, H
SAITOH, S
HIKOSAKA, K
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.20.843
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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页数:6
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