MBE GROWTH OF ALGAAS/NIAL/ALGAAS HETEROSTRUCTURES - A NOVEL EPITAXIAL III-V SEMICONDUCTOR METAL SYSTEM

被引：4

作者：

HARBISON, JP

SANDS, T

TABATABAIE, N

CHAN, WK

FLOREZ, LT

KERAMIDAS, VG

机构：

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1989年 / 95卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(89)90434-X

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

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页码：425 / 426

页数：2

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