PROPERTIES OF SIO2-FILMS FORMED BY OXYGEN IMPLANTATION INTO SILICON

被引：11

作者：

KIROV, KI ^{[1
]}

ATANASOVA, ED ^{[1
]}

ALEXANDROVA, SP ^{[1
]}

AMOV, BG ^{[1
]}

DJAKOV, AE ^{[1
]}

机构：

[1] BULGARIAN ACAD SCI, INST NUCL RES & NUCL ENERGY, BU-1113 SOFIA, BULGARIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(78)90240-7

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：187 / 192

页数：6

共 14 条

KRAUTLE, H .

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