ION-BEAM MODIFICATION OF SILICIDE-SILICON INTERFACES

被引：6

作者：

OHDOMARI, I

TU, KN

HAMMER, W

机构：

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1980年 / 49卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1080/00337578008243057

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：1 / 5

页数：5

共 7 条

[1] CHEMICAL BONDING AND STRUCTURE OF METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES [J].

ANDREWS, JM ;

PHILLIPS, JC .

CHU, WK ;

MAYER, JW ;

NICOLET, MA ;

BUCK, TM ;

AMSEL, G ;

EISEN, F .

[3]

OHDOMARI I, UNPUBLISHED

SHANNON, JM .

SHANNON, JM .

[6]

TU KN, 1978, THIN FILMS INTERDIFF, pCH10

[7]

WITTMER M, UNPUBLISHED