TUNNEL DIODES BY VAPOR GROWTH OF GE ON GE AND ON GAAS

被引：42

作者：

MARINACE, JC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1147/rd.43.0280

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：280 / 282

页数：3

共 9 条

[1] GERMANIUM-GALLIUM ARSENIDE HETEROJUNCTIONS [J].

ANDERSON, RL .

[2] INCORPORATION OF AS INTO VAPOR-GROWN GE [J].

BAKER, WE ;

COMPTON, DMJ .

[3]

DUNLAP WC, 1956, B AM PHYS SOC, V1, P294

[4]

ESAKI L, 1960, SOLID STATE ELECTRON, V1

[5] DISLOCATION CONTENT IN EPITAXIALLY VAPOR-GROWN GE CRYSTALS [J].

INGHAM, HS ;

MCDADE, PJ .

[6]

LONGO TA, 1960, B AM PHYS SOC, V5, P160

MARINACE, JC .

[8]

NATHAN M, COMMUNICATION

[9]

RUTH RP, UNPUB J APPL PHYS