THE EFFECT OF SUBSTRATE BIAS ON HOT-CARRIER DAMAGE IN NMOS DEVICES

被引:9
作者
DOYLE, BS [1 ]
MARCHETAUX, JC [1 ]
BOURCERIE, M [1 ]
BOUDOU, A [1 ]
机构
[1] BULL CO,CTR RECH,TECH GRP,F-78340 LES CLAYES BOIS,FRANCE
关键词
D O I
10.1109/55.31665
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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