0.1-MU-M GATE-LENGTH PSEUDOMORPHIC HEMTS

被引:34
作者
CHAO, PC [1 ]
TIBERIO, RC [1 ]
DUH, KHG [1 ]
SMITH, PM [1 ]
BALLINGALL, JM [1 ]
LESTER, LF [1 ]
LEE, BR [1 ]
JABRA, A [1 ]
GIFFORD, GG [1 ]
机构
[1] CORNELL UNIV, NATL NANOFABRICAT FACIL, ITHACA, NY 14853 USA
关键词
D O I
10.1109/EDL.1987.26704
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:489 / 491
页数:3
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