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INFRARED-ABSORPTION STUDIES OF THE DIVACANCY IN SILICON - NEW PROPERTIES OF THE SINGLY NEGATIVE CHARGE STATE

被引：27
作者：
SVENSSON, JH
SVENSSON, BG
MONEMAR, B
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 1988年 / 38卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.38.4192
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：4192 / 4197
页数：6
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