EXCITED-STATES AT DEEP CENTERS IN SI-S AND SI-SE

被引：53

作者：

GRIMMEISS, HG

SKARSTAM, B

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1981年 / 23卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.23.1947

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1947 / 1960

页数：14

共 35 条

[31]

SULTANOV NA, 1975, SOV PHYS SEMICOND+, V8, P1148

VANVECHTEN, JA ;

THURMOND, CD .

PHYSICAL REVIEW B, 1976, 14 (08) :3539-3550

VYDYANATH, HR ;

LORENZO, JS ;

KROGER, FA .

[34] DEVELOPMENT OF SELENIUM-DOPED SILICON FOR 3-5 MU-M APPLICATIONS [J].

VYDYANATH, HR ;

HELM, WJ ;

LORENZO, JS ;

HOELKE, ST .

INFRARED PHYSICS, 1979, 19 (01) :93-102

[35]

ZHADANOVICH NS, 1976, SOV PHYS SEMICOND, V10, P1102