PERMANENT RADIATION EFFECTS IN HARDENED A1203 MOS INTEGRATED CIRCUITS

被引：5

作者：

MICHELET.FB

ZAININGE.KH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1970.4325763

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：27 / +

页数：1

共 18 条

SCHMIDT, PF ;

RAND, MJ ;

MITCHELL, JP ;

ASHNER, JD .

STANLEY, AG .

[13] PLASMA ANODIZED ALUMINUM OXIDE FILMS [J].

TIBOL, GJ ;

HULL, RW .

[14] AL2O3-SILICON INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS [J].

WAXMAN, A ;

ZAININGER, KH .

[15] RADIATION RESISTANCE OF AL2O3 MOS DEVICES [J].

ZAININGER, KH ;

WAXMAN, AS .

[16]

ZAININGER KH, 1967, RCA REV, V28, P208

[17]

ZAININGER KH, 1966, IEEE T NUCL SCI, VNS13, P237

[18]

ZAININGER KH, 1967, AF33615C1140 CONTR