GE ATOMIC LAYER EPITAXY BY USE OF AR ION LASER-HEATING

被引：26

作者：

TAKAHASHI, Y ^{[1
]}

SESE, Y ^{[1
]}

URISU, T ^{[1
]}

机构：

[1] NAGAOKA UNIV TECHNOL, NAGAOKA, NIIGATA 94021, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | 1989年 / 28卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.2387

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2387 / 2390

页数：4

共 6 条

[1]

DOI A, 1986, APPL PHYS LETT, V48, P1787, DOI 10.1063/1.96787

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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1986, 25 (03) :L212-L214